本报北京7月7日电（记者李健）著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、2001年度国家最高科学技术奖获得者、中国科学院院士黄昆，因病于7月6日在北京逝世，享年86岁。
黄昆院士对固体物理作出了许多开拓性贡献，从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄
散射”。这个理论在上世纪60年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。同时，还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学作出了十分重要的贡献。
黄昆院士是我国半导体科技界的一代宗师，培养了一批又一批国家科技栋梁之才。
