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英特尔25亿美元在华建芯片工厂
2007-03-27
本报记者 滕兴才
    3月26日,全球最大的半导体设计和制造商美国英特尔公司正式宣布,在辽宁省大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米晶圆的工厂。

    这一工厂(英特尔Fab68号厂)是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂,也是继1992年英特尔在爱尔兰建立英特尔Fab10号晶圆厂后另行择址新建的第一个晶圆工厂,计划今年年底动工,并将于2010年上半年投产,工厂的初期生产将主要专注于芯片组以支持英特尔的核心微处理器业务。该公司的大连芯片厂将使用90纳米技术。此前,英特尔公司已经在上海浦东和四川成都设有两家封装和测试工厂。

    据国家发展和改革委员会官员称,此次投资是自1978年改革开放以来,我国东北地区一次最大的投资行为。

    尽管目前全球大多数芯片利用90纳米技术生产,但是这一技术与英特尔最新工厂所使用的技术(65纳米和45纳米)相比已经落后了两代。

    由于高端的芯片制造技术和设备关系到国家整体经济的竞争能力,关系到国家战略,一些发达国家对该领域技术向中国转移实行严格的限制。根据1993年的瓦森那协定,美国和欧洲一些国家限制对中国出口先进的半导体设备和技术,即使出口,也限于落后两代以上的技术设备。

    尽管并不采用最先进的技术,但是分析师普遍认为,这对渴望芯片产业自主创新的中国芯片产业来说仍然具有里程碑式的意义。台湾某芯片制造商分析人士称,这是中国大陆的一个里程碑,它无疑向世界在宣称,中国大陆是很安全的且值得投资。

    分析师还认为,该工厂的技术溢出效应值得期待。技术溢出效应是外商投资输出的先进技术被中国消化吸收所导致的技术进步。它是接受投资国从跨国公司那里获得技术进步的两条途径之一,又称技术扩散。另一种途径是技术转让,由于芯片产业的敏感特性,技术转让被认为不能满足中国获得最先进技术的需求。

    英特尔在全球的七个生产厂分别位于美国本土(5个),爱尔兰(1个)和以色列(1个)。与现在业内普遍使用的200毫米(8英寸)晶圆技术相比,300毫米晶圆技术不仅能使半导体元器件的产能得到显著提高,还将大大降低成本。面积较大的晶圆不仅能够降低单个芯片的生产成本,同时还可减少对资源的消耗。相比200毫米晶圆厂,采用300毫米制造技术的晶圆厂平均每个芯片能够节约40%的能源和水。

    

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