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2009年12月5日 星期
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中科院最年轻院士王曦 科学家企业家一肩挑

本报记者 雷宇 通讯员 王晶晶

中青在线-中国青年报    2009-12-05    [打印] [关闭]
    王曦,42岁,1983年考入清华大学工程物理系,1993年在中国科学院上海冶金研究所获博士学位。1998年以“洪堡学者”身份回国,现任中科院上海微系统与信息技术研究所党委书记兼常务副所长,上海新傲科技有限公司董事长。

    在新入选的中科院院士名单中,刚过不惑之年的王曦,以“一次性评选过关”成为“本届最年轻的院士”。

    没有人知道这位年轻的新院士背后的忙碌——他是中科院上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长;他还是上海新傲科技有限公司董事长。几年前还喜欢周末开车为家人买回一堆东西的他,而今“已不知道去超市的路”。

    很多人眼中,科学家和企业家之间似乎不搭界,而王曦却能在二者之间游弋自如。

    在王曦看来,这是必须为之奋斗的事,“实验室里的成功,和一项技术的圆满完成之间不能画等号。真正的高科技项目要实现产业化,没有科学家参与是不行的。”

    1998年,作为“洪堡学者”的王曦,结束了在欧洲最大的离子束材料研究基地的工作回国,接过了中国科学院离子束重点实验室的工作。

    当时,一种名叫绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)的新技术被IBM公司商业化,广泛用于超速计算机服务器中。这一在国际上被公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”,在国内却因遭遇技术封锁鲜为人知。

    王曦所在的上海冶金研究所(上海微系统与信息技术研究所前身)早在20世纪80年代初就已经开始SOI技术研究,而且基础研究水平处于世界先进地位,但是研究主要针对特殊应用领域,研究成果也一直处于论文和实验室阶段。

    “为什么不利用自己的优势开发产品,把这个在研究所里埋藏20多年的宝贝推向市场呢?”

    2002年4月底,王曦和他的团队仅用5个多月,就在上海新傲科技有限公司建成国内第一条具有国际先进水平的SOI生产线。两个月后,第一批SOI圆片材料问世。

    在“863”、“973”等计划支持下,王曦运用他专长的“离子注入技术”,在关键技术上取得一系列重大创新,申请国家发明专利32项,并已获授权16项。

    凭借这一成果,王曦带领团队一举获得2006年度国家科技进步奖一等奖。

    

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