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2012年07月02日 星期一
中青在线

威盛创新引领时代潮流

《 中国青年报 》( 2012年07月02日   08 版)

    推出四核处理器

    全球领先的创新节能X86 处理器平台方案领导厂商威盛电子日前宣布推出威盛四核处理器。该处理器是目前市场上功耗最低的四核处理器。

    威盛四核处理器采用高性能、低功耗的多核架构,可提供出色的多线程性能,支持低功耗的多任务执行、多媒体回放、高运算能力及互联网浏览。威盛四核处理器的分布式性能便于其在各种多屏显示环境中的应用。

    威盛四核处理器的热设计功耗(TDP)仅为27.5w,处理器主频为1.2+ GHz,功耗比同类产品低21%以上,可广泛应用于桌面电脑、笔记本电脑、小板型PC、一体机及迷你服务器系统设计。

    “随着高清多媒体内容的迅速发展,及对多线程应用需求的不断增加,四核是目前主流PC用户最新的标准”,威盛电子处理器平台总经理吴意盼表示,“威盛四核处理器采用业内最低功耗架构,完全满足市场需求”。

    威盛四核处理器在两块裸片上集成4个“Isaiah”核心,提供低功耗、高性能的多任务和出色的多媒体性能。

    威盛四核处理器原生支持64位操作系统,此外还具有自适应超频、4MB二级高速缓存及1333MHz V4总线等一系列性能。热设计功耗仅为27.5w。主频为1.2+ GHz的产品将首先供货。

    此外,威盛四核处理器还采用了威盛虚拟化技术,可在虚拟环境中运行旧版软件和应用,并对性能毫无影响。该处理器采用威盛PadLock先进译码引擎,提供全球最快的AES加密。提供基于硬件的运行数据加密,是内容保护和系统安全的重要工具。

    发布Android数字标牌系统

    威盛发布专为Android操作系统开发的一款整合型系统解决方案ARM DS。该款系统基于标准的ARM Cortex A9平台,主要用于对成本敏感度较高的规模化应用细分市场的动态显示屏信息发布管理,其高清视频播放性能及便捷的连接性极大地增强了客户的接受度和满意度。ARM DS应用范围非常广泛,包括自助服务终端、POS系统、视频矩阵墙、菜单显示屏、TVOIP、云端流媒体及户外广告等各种零售、酒店、教育及娱乐环境应用。

    迎合市场的低能耗诉求,威盛ARM DS在节约空间方面的设计非常人性化,体积小巧,尺寸仅为18cm×12cm×2.5cm,大大降低了应用环境的门槛。立足于长远,保证用户投资利用的最大化,ARM DS系统的用户可享有威盛全球化的软件支持服务,可与最新的数字内容管理软件兼容。

    “威盛ARMDS系统将Android系统应用于动态数字标牌显示屏,为市场上提供了一款低成本的替代方案。”威盛电子有关负责人表示,“我们非常欢迎和支持第三方软件和系统集成商的加入,与威盛共同合作,开发基于该系统的客制化解决方案。”

    威锋电子VL751比上一代闪存控制器性能提升1倍

    威盛旗下的USB 3.0控制器芯片领导厂商威锋电子,推出最新USB 3.0设备控制器——VL751超高速USB NAND闪存控制器。VL751是威锋电子USB 3.0闪存驱动器第二代单芯片解决方案,采用目前广泛使用的闪存存储器,性能进一步提升。VL751已获USB应用厂商论坛(USB-IF)超高速运行认证,确保其高品质、无缝互操作性及轻松的向下兼容性。 

    威锋电子VL751拥有1个四通道NAND接口,通过单通道或双通道设计将最大吞吐量提升至2倍或4倍。第二代威锋VL751闪存控制器内置预读预写缓冲区,能够更好地支持主流闪存存储器和管线ECC引擎,拥有卓越的并行性和更高的工作效率。总体来看,这些性能的增强为VL750闪存控制器提升了近1倍的性能,同时并无功耗增加。 

    “随着USB 3.0的功能融合到下一代芯片组中,明年推出的台式电脑和笔记本电脑都将支持USB 3.0技术”,威锋电子副总裁David Hsu表示,“威锋电子VL751的面市,意味着32gb及其以上的高速、大容量闪存驱动器将以更优惠的价格普及,为扩大整个USB 3.0生态系统作出了重要贡献。” 

    此外,威锋电子还推出了VL751 USB 3.0闪存控制器。威锋VL751符合“Bulk-Only”USB大容量传输规范,具有跨平台兼容性,可兼容Windows、Mac OSX及Linux操作系统,且不需要额外的驱动器。威锋VL751配备交错式4通道闪存控制器,数据传输速度可达120MB/s以上。完全符合USB 3.0规范,可与USB 2.0及USB 1.1兼容,在USB 2.0模式下可提供领先的性能,传输速度达35MB/s。 

    除了性能高之外,威盛VL751的设计还便于安装和维护。威盛VL751拥有先进的内置物理层设计,是一款单芯片解决方案,可提供出色的信号集成特性,同时支持2X-3Xnm的闪存存储器。

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